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Rohm Semiconductor RQ3E180AJTB

Número de pieza de MFG
RQ3E180AJTB
Cantidad disponible
47960 Piezas
Precio de referencia
USD 0.32424
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fabricante
Rohm Semiconductor
Breve descripción
- MOSFET N-CH 30V 18A HSMR8
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
RQ3E180AJTB Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 18A (Ta), 30A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5 mOhm @ 18A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 11mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 39nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 4290pF @ 15V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 2W (Ta), 30W (Tc)
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor 8-HSMT (3.2x3)
Paquete / Caja 8-PowerVDFN
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RQ3E180AJTB Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto RQ3E180AJTB-FT

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