casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / RQ3G150GNTB
Número de pieza del fabricante | RQ3G150GNTB |
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Número de parte futuro | FT-RQ3G150GNTB |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RQ3G150GNTB Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 40V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 39A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.2 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 11.6nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1450pF @ 20V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 20W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-HSMT (3.2x3) |
Paquete / Caja | 8-PowerVDFN |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RQ3G150GNTB Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | RQ3G150GNTB-FT |
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