casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / RA201248XX
Número de pieza del fabricante | RA201248XX |
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Número de parte futuro | FT-RA201248XX |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RA201248XX Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 1200V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 4800A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.05V @ 3000A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 16µs |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 200mA @ 1200V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caja | DO-200AD |
Paquete del dispositivo del proveedor | Pow-R-Disc |
Temperatura de funcionamiento - Unión | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RA201248XX Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | RA201248XX-FT |
1N6642UBCC
Microsemi Corporation
BYS11-90HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYS11-90HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYS12-90HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYS12-90HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
CS1D-E3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
CS1G-E3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
CS1J-E3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
CS1K-E3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
CS1M-E3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel