casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / BYS12-90HE3_A/H
Número de pieza del fabricante | BYS12-90HE3_A/H |
---|---|
Número de parte futuro | FT-BYS12-90HE3_A/H |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100 |
BYS12-90HE3_A/H Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 90V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1.5A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 750mV @ 1A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 100µA @ 90V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-214AC, SMA |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-214AC (SMA) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYS12-90HE3_A/H Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BYS12-90HE3_A/H-FT |
APD260VDTR-E1
Diodes Incorporated
B0540WS-TP
Micro Commercial Co
B5817W-TP
Micro Commercial Co
BAT1502LSE6433XTMA1
Infineon Technologies
BAT2402ELSE6327XTSA1
Infineon Technologies
CD123D-B120R
Bourns Inc.
CD214C-F3150
Bourns Inc.
CMS10I30A(TE12L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage
CMS10I40A(TE12L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage
CMS20I40A(TE12L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage
EPF8820ATC144-3
Intel
XC2V6000-4FFG1517I
Xilinx Inc.
AT40K20-2EQC
Microchip Technology
XC7A75T-L1CSG324I
Xilinx Inc.
M1A3P1000-1FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-5M132C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N2F40E2LG
Intel
EP3SL150F780I4
Intel
EP1C4F324I7N
Intel