casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / BYS11-90HE3_A/I
Número de pieza del fabricante | BYS11-90HE3_A/I |
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Número de parte futuro | FT-BYS11-90HE3_A/I |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100 |
BYS11-90HE3_A/I Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 90V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1.5A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 750mV @ 1A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 100µA @ 90V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-214AC, SMA |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-214AC (SMA) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYS11-90HE3_A/I Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BYS11-90HE3_A/I-FT |
1N5811
Semtech Corporation
APD260VDTR-E1
Diodes Incorporated
B0540WS-TP
Micro Commercial Co
B5817W-TP
Micro Commercial Co
BAT1502LSE6433XTMA1
Infineon Technologies
BAT2402ELSE6327XTSA1
Infineon Technologies
CD123D-B120R
Bourns Inc.
CD214C-F3150
Bourns Inc.
CMS10I30A(TE12L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage
CMS10I40A(TE12L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage
AFS600-1FGG484K
Microsemi Corporation
A42MX24-PQ208I
Microsemi Corporation
LFE5UM-45F-8BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
10CL040YF484C6G
Intel
5SGSMD5K1F40C2LN
Intel
5SGSMD3E3H29I3N
Intel
A40MX04-PL84M
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-7MG328CAHQ
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HC-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3CLS100F780C8
Intel