casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / RA201236XX
Número de pieza del fabricante | RA201236XX |
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Número de parte futuro | FT-RA201236XX |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RA201236XX Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 1200V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 3600A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.15V @ 3000A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 22µs |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 200mA @ 1200V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caja | DO-200AD |
Paquete del dispositivo del proveedor | Pow-R-Disc |
Temperatura de funcionamiento - Unión | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RA201236XX Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | RA201236XX-FT |
1N6642UBCA
Microsemi Corporation
1N6642UBCC
Microsemi Corporation
BYS11-90HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYS11-90HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYS12-90HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYS12-90HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
CS1D-E3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
CS1G-E3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
CS1J-E3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
CS1K-E3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX32A-1TQG144I
Microsemi Corporation
AT40K20LV-3BQI
Microchip Technology
M2GL025TS-1FCSG325
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3PN010-QNG48I
Microsemi Corporation
A3PE600-FG256I
Microsemi Corporation
M1A3P400-2PQ208I
Microsemi Corporation
10M04SCE144C8G
Intel
5SGXMA9N3F45I3N
Intel
XC5VLX110T-3FFG1738C
Xilinx Inc.