casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / R6009KNX
Número de pieza del fabricante | R6009KNX |
---|---|
Número de parte futuro | FT-R6009KNX |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
R6009KNX Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 9A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 535 mOhm @ 2.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 16.5nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 540pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 48W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220FM |
Paquete / Caja | TO-220-3 Full Pack |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R6009KNX Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | R6009KNX-FT |
TK80S04K3L(T6L1,NQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK80S06K3L(T6L1,NQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK8S06K3L(T6L1,NQ)
Toshiba Semiconductor and Storage
IRFI4110GPBF
Infineon Technologies
IRLI530NPBF
Infineon Technologies
IRFI4321PBF
Infineon Technologies
IRLI2910PBF
Infineon Technologies
IRLI520NPBF
Infineon Technologies
IRFI4227PBF
Infineon Technologies
IRFIZ24NPBF
Infineon Technologies