casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRFI4227PBF
Número de pieza del fabricante | IRFI4227PBF |
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Número de parte futuro | FT-IRFI4227PBF |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRFI4227PBF Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 200V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 26A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 17A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 4600pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 46W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220AB Full-Pak |
Paquete / Caja | TO-220-3 Full Pack |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFI4227PBF Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IRFI4227PBF-FT |
IXTY12N06TTRL
IXYS
IXTY15N20T
IXYS
IXTY1R4N60P
IXYS
IXTY1R4N60P TRL
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LCMXO2-640HC-4SG48C
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A54SX32A-1TQG144
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XC6SLX75T-4FGG484C
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A3P600L-1FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-FCG1152E
Microsemi Corporation
A40MX04-FPL68
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AGLN250V5-VQ100I
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5SGXMA7N2F45C3N
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LFXP6E-3Q208C
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5SGSMD4H3F35C4N
Intel