casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IXTY2N60P
Número de pieza del fabricante | IXTY2N60P |
---|---|
Número de parte futuro | FT-IXTY2N60P |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Polar™ |
IXTY2N60P Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Last Time Buy |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 2A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.1 Ohm @ 1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 7nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 240pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 55W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-252, (D-Pak) |
Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTY2N60P Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IXTY2N60P-FT |
IRLR3715ZTRL
Infineon Technologies
IRLR3715ZTRLPBF
Infineon Technologies
IRLR3715ZTRPBF
Infineon Technologies
IRLR3715ZTRR
Infineon Technologies
IRLR3715ZTRRPBF
Infineon Technologies
IRLR3717PBF
Infineon Technologies
IRLR3717TRLPBF
Infineon Technologies
IRLR3717TRPBF
Infineon Technologies
IRLR3717TRRPBF
Infineon Technologies
IRLR3802PBF
Infineon Technologies
XC3S50A-4TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-FGG256
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP3C40F484C7N
Intel
10M40SAE144I7G
Intel
5SGXEBBR1H43C2LN
Intel
LCMXO2-7000HE-4FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9C6F23I7N
Intel
EP20K200CB356C9
Intel
EPF8820AQC208-4AA
Intel