casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRLR3802PBF
Número de pieza del fabricante | IRLR3802PBF |
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Número de parte futuro | FT-IRLR3802PBF |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRLR3802PBF Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 12V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 84A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 2.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.5 mOhm @ 15A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.9V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 41nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±12V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2490pF @ 6V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 88W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | D-Pak |
Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRLR3802PBF Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IRLR3802PBF-FT |
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A1020B-2PQ100C
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A3PN125-1VQ100
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EP3CLS70U484I7
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5SGSED6K2F40C3N
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EP4CE10E22C9L
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LFE3-70E-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EBC652-1X
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