casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IXTY1R4N60P TRL
Número de pieza del fabricante | IXTY1R4N60P TRL |
---|---|
Número de parte futuro | FT-IXTY1R4N60P TRL |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Polar™ |
IXTY1R4N60P TRL Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 1.4A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9 Ohm @ 700mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 25µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 5.2nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 140pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 50W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-252, (D-Pak) |
Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTY1R4N60P TRL Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IXTY1R4N60P TRL-FT |
IRLR3715Z
Infineon Technologies
IRLR3715ZCTRLP
Infineon Technologies
IRLR3715ZPBF
Infineon Technologies
IRLR3715ZTR
Infineon Technologies
IRLR3715ZTRL
Infineon Technologies
IRLR3715ZTRLPBF
Infineon Technologies
IRLR3715ZTRPBF
Infineon Technologies
IRLR3715ZTRR
Infineon Technologies
IRLR3715ZTRRPBF
Infineon Technologies
IRLR3717PBF
Infineon Technologies
LCMXO1200E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-2PQ100C
Microsemi Corporation
XC6SLX9-2FT256I
Xilinx Inc.
A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
EP2A15F672C7AA
Intel
EP3CLS70U484I7
Intel
5SGSED6K2F40C3N
Intel
EP4CE10E22C9L
Intel
LFE3-70E-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EBC652-1X
Intel