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Toshiba Semiconductor and Storage TK80S06K3L(T6L1,NQ

Número de pieza de MFG
TK80S06K3L(T6L1,NQ
Cantidad disponible
57660 Piezas
Precio de referencia
USD 0.7
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fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descripción
U-MOSIV MOSFET N-CH 60V 80A DPAK-3
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de pieza del fabricante TK80S06K3L(T6L1,NQ
Número de parte futuro FT-TK80S06K3L(T6L1,NQ
SPQ / MOQ Contáctenos
Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie U-MOSIV
TK80S06K3L(T6L1,NQ Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 80A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 85nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 4200pF @ 10V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 100W (Tc)
Temperatura de funcionamiento 175°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor DPAK+
Paquete / Caja TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK80S06K3L(T6L1,NQ Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto TK80S06K3L(T6L1,NQ-FT

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