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Toshiba Semiconductor and Storage TK80S06K3L(T6L1,NQ

Name: TK80S06K3L(T6L1,NQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK80S06K3L(T6L1,NQ
Price: 0.7 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (251 reviews)

Número de pieza de MFG: TK80S06K3L(T6L1,NQ

Cantidad disponible: 57660 Piezas

Precio de referencia: USD 0.7

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fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descripción: U-MOSIV MOSFET N-CH 60V 80A DPAK-3

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: TK80S06K3L(T6L1,NQ.pdf

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Número de pieza del fabricante	TK80S06K3L(T6L1,NQ
Número de parte futuro	FT-TK80S06K3L(T6L1,NQ
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	U-MOSIV
TK80S06K3L(T6L1,NQ Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	80A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.5 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	85nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	4200pF @ 10V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	100W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	DPAK+
Paquete / Caja	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK80S06K3L(T6L1,NQ Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	TK80S06K3L(T6L1,NQ-FT

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