casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / R1WV6416RSD-5SI#B0
Número de pieza del fabricante | R1WV6416RSD-5SI#B0 |
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Número de parte futuro | FT-R1WV6416RSD-5SI#B0 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
R1WV6416RSD-5SI#B0 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Last Time Buy |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM |
Tamaño de la memoria | 64Mb (8M x 8, 4M x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 55ns |
Tiempo de acceso | 55ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 52-TFSOP (0.350", 8.89mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 52-TSOP II |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R1WV6416RSD-5SI#B0 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | R1WV6416RSD-5SI#B0-FT |
BR25L010FVT-WE2
Rohm Semiconductor
BR25L020FV-WE2
Rohm Semiconductor
BR25L020FVT-WE2
Rohm Semiconductor
BR25L040FV-WE2
Rohm Semiconductor
BR25L040FVT-WE2
Rohm Semiconductor
BR25L080FV-WE2
Rohm Semiconductor
BR25L080FVT-WE2
Rohm Semiconductor
BR25L160FV-WE2
Rohm Semiconductor
BR25L160FVT-WE2
Rohm Semiconductor
BR93L56RFV-WE2
Rohm Semiconductor
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
EP4S100G3F45I1
Intel
EP4SE820F43I4N
Intel
5SGXMA7K1F35C2LN
Intel
XC6VLX365T-L1FF1759I
Xilinx Inc.
XC2VP30-7FFG896C
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FG144
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXBC4C7U19C8N
Intel
EP1S25F1020C5
Intel