casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / BR25L010FVT-WE2
Número de pieza del fabricante | BR25L010FVT-WE2 |
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Número de parte futuro | FT-BR25L010FVT-WE2 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BR25L010FVT-WE2 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | EEPROM |
Tecnología | EEPROM |
Tamaño de la memoria | 1Kb (128 x 8) |
Frecuencia de reloj | 5MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 5ms |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI |
Suministro de voltaje | 1.8V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-TSSOP-B |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BR25L010FVT-WE2 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BR25L010FVT-WE2-FT |
BR24T04FVT-WE2
Rohm Semiconductor
BR24T256FVT-WE2
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BR93G86FVT-3BGE2
Rohm Semiconductor
XCS10XL-4VQG100I
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XC6SLX25T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A3P250L-VQG100I
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5CEBA4F17C6N
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EP4CE22E22C8L
Intel
LFE2M100E-7F900C
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LCMXO1200E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7F23I7N
Intel
5AGTFC7H3F35I3G
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