casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / BR93G66FVT-3AGE2
Número de pieza del fabricante | BR93G66FVT-3AGE2 |
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Número de parte futuro | FT-BR93G66FVT-3AGE2 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BR93G66FVT-3AGE2 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | EEPROM |
Tecnología | EEPROM |
Tamaño de la memoria | 4Kb (256 x 16) |
Frecuencia de reloj | 3MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 5ms |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-TSSOP-B |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BR93G66FVT-3AGE2 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BR93G66FVT-3AGE2-FT |
BR25H040FVM-2CTR
Rohm Semiconductor
BR25H160FVM-2CTR
Rohm Semiconductor
BR93G66FVM-3AGTTR
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BR93G66FVM-3GTTR
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BR24A02FVM-WMTR
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BR24T01FVM-WTR
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BR24T02FVM-WTR
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XC6SLX150T-2FGG484I
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M1A3P400-2PQG208
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V1500-4BGG575C
Xilinx Inc.
AX500-FGG676
Microsemi Corporation
LFX200EB-05FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA9F31C8N
Intel
EP20K1000EBI652-2X
Intel