casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / BR25L080FV-WE2
Número de pieza del fabricante | BR25L080FV-WE2 |
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Número de parte futuro | FT-BR25L080FV-WE2 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BR25L080FV-WE2 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | EEPROM |
Tecnología | EEPROM |
Tamaño de la memoria | 8Kb (1K x 8) |
Frecuencia de reloj | 5MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 5ms |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI |
Suministro de voltaje | 1.8V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-LSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SSOPB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BR25L080FV-WE2 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BR25L080FV-WE2-FT |
BR93G56FVT-3BGE2
Rohm Semiconductor
BR93G66FVT-3AGE2
Rohm Semiconductor
BR93G66FVT-3GE2
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LFXP3C-3T144I
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XC3S1600E-5FG320C
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A3PE600-2FGG484I
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ICE40UL640-SWG16ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-1VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N1F45C2LN
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A1010B-2PLG44C
Microsemi Corporation
LFX200B-05FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C5N
Intel
5SGXEA3H3F35C2LN
Intel