casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / R1LV3216RSD-7SI#B0
Número de pieza del fabricante | R1LV3216RSD-7SI#B0 |
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Número de parte futuro | FT-R1LV3216RSD-7SI#B0 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
R1LV3216RSD-7SI#B0 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM |
Tamaño de la memoria | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 70ns |
Tiempo de acceso | 70ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 52-TFSOP (0.350", 8.89mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 52-TSOP II |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R1LV3216RSD-7SI#B0 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | R1LV3216RSD-7SI#B0-FT |
BU9888FV-WE2
Rohm Semiconductor
BR25L010FV-WE2
Rohm Semiconductor
BR25L010FVT-WE2
Rohm Semiconductor
BR25L020FV-WE2
Rohm Semiconductor
BR25L020FVT-WE2
Rohm Semiconductor
BR25L040FV-WE2
Rohm Semiconductor
BR25L040FVT-WE2
Rohm Semiconductor
BR25L080FV-WE2
Rohm Semiconductor
BR25L080FVT-WE2
Rohm Semiconductor
BR25L160FV-WE2
Rohm Semiconductor
A54SX08A-PQG208A
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C8N
Intel
5AGXMA5D4F27I5N
Intel
XC7V585T-2FF1761I
Xilinx Inc.
LFE5U-12F-8BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA2F23I7N
Intel
10AX090R2F40E2SG
Intel
EP4CGX110DF31C8
Intel
EP2S180F1508C5
Intel