casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / R1LV3216RSD-5SI#S0
Número de pieza del fabricante | R1LV3216RSD-5SI#S0 |
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Número de parte futuro | FT-R1LV3216RSD-5SI#S0 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
R1LV3216RSD-5SI#S0 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Last Time Buy |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM |
Tamaño de la memoria | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 55ns |
Tiempo de acceso | 55ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 52-TFSOP (0.350", 8.89mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 52-TSOP II |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R1LV3216RSD-5SI#S0 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | R1LV3216RSD-5SI#S0-FT |
BR93L66RFV-WE2
Rohm Semiconductor
BU9888FV-WE2
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BR25L010FV-WE2
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BR25L010FVT-WE2
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BR25L020FV-WE2
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BR25L020FVT-WE2
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BR25L040FV-WE2
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BR25L040FVT-WE2
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BR25L080FVT-WE2
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LFXP3E-3TN144C
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XC2S15-5VQG100C
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ICE5LP2K-CM36ITR1K
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5SGSED6K3F40C2LN
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LFEC10E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50SE-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N2F40E2SG
Intel