casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / PSMN040-100MSEX
Número de pieza del fabricante | PSMN040-100MSEX |
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Número de parte futuro | FT-PSMN040-100MSEX |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PSMN040-100MSEX Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 30A (Tj) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 36.6 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1470pF @ 50V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 91W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | LFPAK33 |
Paquete / Caja | SOT-1210, 8-LFPAK33 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PSMN040-100MSEX Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | PSMN040-100MSEX-FT |
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