casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / PHD38N02LT,118
Número de pieza del fabricante | PHD38N02LT,118 |
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Número de parte futuro | FT-PHD38N02LT,118 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchMOS™ |
PHD38N02LT,118 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 44.7A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16 mOhm @ 25A, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 15.1nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±12V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 800pF @ 20V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 57.6W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | DPAK |
Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PHD38N02LT,118 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | PHD38N02LT,118-FT |
BUK9E3R7-60E,127
NXP USA Inc.
BUK9E4R4-40B,127
NXP USA Inc.
BUK9E4R4-80E,127
NXP USA Inc.
BUK9E4R9-60E,127
NXP USA Inc.
BUK9E6R1-100E,127
NXP USA Inc.
BUK9E8R5-40E,127
NXP USA Inc.
PSMN013-100ES,127
Nexperia USA Inc.
PSMN1R5-40ES,127
Nexperia USA Inc.
PSMN3R3-80ES,127
Nexperia USA Inc.
PSMN3R5-80ES,127
Nexperia USA Inc.
A3PN015-1QNG68I
Microsemi Corporation
A1415A-PQ100I
Microsemi Corporation
M2GL025S-1VF400I
Microsemi Corporation
A10V20B-PL68C
Microsemi Corporation
EP4S100G3F45I3N
Intel
XC4028XL-09HQ208C
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FFG672C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE80F780C4
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel