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NXP USA Inc. PHD22NQ20T,118

Name: PHD22NQ20T,118
Brand: NXP USA Inc.
SKU: PHD22NQ20T,118
Availability: InStock
Rating: 4.9 (169 reviews)

Número de pieza de MFG: PHD22NQ20T,118

Cantidad disponible: 53610 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: NXP USA Inc.

Breve descripción: TrenchMOS™ MOSFET N-CH 200V 21.1A DPAK

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: PHD22NQ20T,118.pdf

PHD22NQ20T,118 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	PHD22NQ20T,118
Número de parte futuro	FT-PHD22NQ20T,118
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	TrenchMOS™
PHD22NQ20T,118 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	21.1A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	120 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	30.8nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	1380pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	150W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	DPAK
Paquete / Caja	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PHD22NQ20T,118 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	PHD22NQ20T,118-FT

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