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NXP USA Inc. PHB110NQ08LT,118

Name: PHB110NQ08LT,118
Brand: NXP USA Inc.
SKU: PHB110NQ08LT,118
Availability: InStock
Rating: 4.7 (748 reviews)

Número de pieza de MFG: PHB110NQ08LT,118

Cantidad disponible: 95620 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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fabricante: NXP USA Inc.

Breve descripción: TrenchMOS™ MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: PHB110NQ08LT,118.pdf

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PHB110NQ08LT,118 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	PHB110NQ08LT,118
Número de parte futuro	FT-PHB110NQ08LT,118
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	TrenchMOS™
PHB110NQ08LT,118 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	75V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	75A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.5 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	127.3nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	6631pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	230W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	D2PAK
Paquete / Caja	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PHB110NQ08LT,118 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	PHB110NQ08LT,118-FT

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