casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BUK965R4-40E,118
Número de pieza del fabricante | BUK965R4-40E,118 |
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Número de parte futuro | FT-BUK965R4-40E,118 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
BUK965R4-40E,118 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 40V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 75A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.4 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 33.9nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 4483pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 137W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | D2PAK |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK965R4-40E,118 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BUK965R4-40E,118-FT |
BUK765R3-40E,118
Nexperia USA Inc.
BUK9614-60E,118
Nexperia USA Inc.
BUK96180-100A,118
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PSMN3R3-80BS,118
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PSMN3R8-100BS,118
Nexperia USA Inc.
BUK6610-75C,118
Nexperia USA Inc.
BUK763R9-60E,118
Nexperia USA Inc.
BUK765R0-100E,118
Nexperia USA Inc.
BUK964R8-60E,118
Nexperia USA Inc.
BUK9628-55A,118
Nexperia USA Inc.
XC3S200-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC4020XL-1PQ208C
Xilinx Inc.
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
10M40DCF256C7G
Intel
5SGSED8K2F40I2N
Intel
XC2V2000-5FF896I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
A40MX04-PQG100M
Microsemi Corporation
LFEC15E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX40GF1020I6
Intel