casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BUK765R0-100E,118
Número de pieza del fabricante | BUK765R0-100E,118 |
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Número de parte futuro | FT-BUK765R0-100E,118 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
BUK765R0-100E,118 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 120A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 180nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 11810pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 357W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | D2PAK |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK765R0-100E,118 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BUK765R0-100E,118-FT |
BUK9535-100A,127
Nexperia USA Inc.
BUK9535-55,127
NXP USA Inc.
BUK9535-55A,127
Nexperia USA Inc.
BUK953R2-40B,127
Nexperia USA Inc.
BUK953R2-40E,127
NXP USA Inc.
BUK953R5-60E,127
Nexperia USA Inc.
BUK9540-100A,127
Nexperia USA Inc.
BUK954R2-55B,127
Nexperia USA Inc.
BUK954R4-40B,127
Nexperia USA Inc.
BUK954R4-80E,127
NXP USA Inc.
LCMXO2-7000HE-6TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX25-N3FGG484I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FG484
Microsemi Corporation
M7A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
XC4VFX40-10FF1152I
Xilinx Inc.
A40MX04-1PLG84M
Microsemi Corporation
A42MX16-2PL84I
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC4C6U19I7N
Intel