casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / PHB21N06LT,118
Número de pieza del fabricante | PHB21N06LT,118 |
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Número de parte futuro | FT-PHB21N06LT,118 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchMOS™ |
PHB21N06LT,118 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 55V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 19A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 9.4nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±15V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 650pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 56W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | D2PAK |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PHB21N06LT,118 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | PHB21N06LT,118-FT |
BUK9614-60E,118
Nexperia USA Inc.
BUK96180-100A,118
Nexperia USA Inc.
PSMN3R3-80BS,118
Nexperia USA Inc.
PSMN3R8-100BS,118
Nexperia USA Inc.
BUK6610-75C,118
Nexperia USA Inc.
BUK763R9-60E,118
Nexperia USA Inc.
BUK765R0-100E,118
Nexperia USA Inc.
BUK964R8-60E,118
Nexperia USA Inc.
BUK9628-55A,118
Nexperia USA Inc.
PSMN4R3-30BL,118
Nexperia USA Inc.
XC6SLX150-3FG676I
Xilinx Inc.
XC3S1400A-5FG484C
Xilinx Inc.
AGL600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LAXP2-8E-5FTN256E
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-5SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX04-3PL68I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I2
Intel
5SGXEBBR2H43I3L
Intel
LFEC10E-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10QC208-3N
Intel