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NXP USA Inc. PH5525L,115

Name: PH5525L,115
Brand: NXP USA Inc.
SKU: PH5525L,115
Availability: InStock
Rating: 4.9 (91 reviews)

Número de pieza de MFG: PH5525L,115

Cantidad disponible: 69120 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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fabricante: NXP USA Inc.

Breve descripción: TrenchMOS™ MOSFET N-CH 25V 81.7A LFPAK

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: PH5525L,115.pdf

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PH5525L,115 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	PH5525L,115
Número de parte futuro	FT-PH5525L,115
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	TrenchMOS™
PH5525L,115 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	25V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	81.7A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.5 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.15V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	16.6nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	2150pF @ 12V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	62.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	LFPAK56, Power-SO8
Paquete / Caja	SC-100, SOT-669
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PH5525L,115 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	PH5525L,115-FT

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