casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BUK7Y15-100EX
Número de pieza del fabricante | BUK7Y15-100EX |
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Número de parte futuro | FT-BUK7Y15-100EX |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchMOS™ |
BUK7Y15-100EX Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 68A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 54.5nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 3958pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 195W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | LFPAK56, Power-SO8 |
Paquete / Caja | SC-100, SOT-669 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK7Y15-100EX Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BUK7Y15-100EX-FT |
PSMN5R5-60YS,115
Nexperia USA Inc.
PSMN2R6-40YS,115
Nexperia USA Inc.
PSMN069-100YS,115
Nexperia USA Inc.
BUK7Y3R5-40E,115
Nexperia USA Inc.
PSMN7R0-60YS,115
Nexperia USA Inc.
PSMN7R5-30YLDX
Nexperia USA Inc.
PSMN4R0-30YLDX
Nexperia USA Inc.
PSMN7R5-60YLX
Nexperia USA Inc.
BUK7Y14-80EX
Nexperia USA Inc.
PSMN4R0-40YS,115
Nexperia USA Inc.
XA3S500E-4FTG256I
Xilinx Inc.
XA6SLX25T-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
APA300-BGG456M
Microsemi Corporation
A54SX16A-FGG256I
Microsemi Corporation
AT40K20-2AQC
Microchip Technology
EP2S30F672C4
Intel
10M40DCF672C7G
Intel
A42MX16-3PQ100
Microsemi Corporation
EP4CGX22CF19C6N
Intel