casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BUK7Y15-100EX
Número de pieza del fabricante | BUK7Y15-100EX |
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Número de parte futuro | FT-BUK7Y15-100EX |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchMOS™ |
BUK7Y15-100EX Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 68A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 54.5nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 3958pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 195W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | LFPAK56, Power-SO8 |
Paquete / Caja | SC-100, SOT-669 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK7Y15-100EX Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BUK7Y15-100EX-FT |
PSMN5R5-60YS,115
Nexperia USA Inc.
PSMN2R6-40YS,115
Nexperia USA Inc.
PSMN069-100YS,115
Nexperia USA Inc.
BUK7Y3R5-40E,115
Nexperia USA Inc.
PSMN7R0-60YS,115
Nexperia USA Inc.
PSMN7R5-30YLDX
Nexperia USA Inc.
PSMN4R0-30YLDX
Nexperia USA Inc.
PSMN7R5-60YLX
Nexperia USA Inc.
BUK7Y14-80EX
Nexperia USA Inc.
PSMN4R0-40YS,115
Nexperia USA Inc.
M2GL025T-1VFG256I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-1
Intel
EPF10K130EFC484-1N
Intel
5SGSED6K2F40I3L
Intel
5SGSMD8K2F40I2LN
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5SGXEA3K3F35C2N
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XC6VLX240T-L1FFG1759I
Xilinx Inc.
XC4VLX60-12FFG1148C
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XC5VLX30-1FFG676C
Xilinx Inc.
EP20K100FI324-2XV
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