casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BUK7Y3R5-40E,115
Número de pieza del fabricante | BUK7Y3R5-40E,115 |
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Número de parte futuro | FT-BUK7Y3R5-40E,115 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
BUK7Y3R5-40E,115 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 40V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 100A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 49.4nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 3583pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 167W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | LFPAK56, Power-SO8 |
Paquete / Caja | SC-100, SOT-669 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK7Y3R5-40E,115 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BUK7Y3R5-40E,115-FT |
PMV31XN,215
NXP USA Inc.
PMV37EN,215
NXP USA Inc.
PMV40UN,215
NXP USA Inc.
PMV45EN,215
NXP USA Inc.
PMV56XN,215
NXP USA Inc.
PMV60EN,215
NXP USA Inc.
PMV65UN,215
NXP USA Inc.
PMV90EN,215
NXP USA Inc.
SI2302DS,215
NXP USA Inc.
BUK9880-55A/CUX
Nexperia USA Inc.