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NXP USA Inc. SI2302DS,215

Número de pieza de MFG
SI2302DS,215
Cantidad disponible
46470 Piezas
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fabricante
NXP USA Inc.
Breve descripción
TrenchMOS™ MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Distribuidor Franquiciado
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Garantía de calidad de 360 días.
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Número de parte futuro FT-SI2302DS,215
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie TrenchMOS™
SI2302DS,215 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 2.5A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 85 mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 650mV @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 230pF @ 10V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 830mW (Tc)
Temperatura de funcionamiento -65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor TO-236AB (SOT23)
Paquete / Caja TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SI2302DS,215 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto SI2302DS,215-FT

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