casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / PHD101NQ03LT,118
Número de pieza del fabricante | PHD101NQ03LT,118 |
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Número de parte futuro | FT-PHD101NQ03LT,118 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchMOS™ |
PHD101NQ03LT,118 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 75A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2180pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 166W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | DPAK |
Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PHD101NQ03LT,118 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | PHD101NQ03LT,118-FT |
BUK7E2R7-30B,127
NXP USA Inc.
BUK7E4R0-80E,127
NXP USA Inc.
BUK7E4R3-75C,127
NXP USA Inc.
BUK9E04-30B,127
NXP USA Inc.
BUK9E04-40A,127
Nexperia USA Inc.
BUK9E06-55A,127
Nexperia USA Inc.
BUK9E06-55B,127
Nexperia USA Inc.
BUK9E15-60E,127
NXP USA Inc.
BUK9E1R6-30E,127
NXP USA Inc.
BUK9E1R8-40E,127
NXP USA Inc.
AT40K40AL-1BQI
Microchip Technology
XC4005XL-3PQ100C
Xilinx Inc.
APA600-BG456I
Microsemi Corporation
A42MX36-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP2S15F484C3
Intel
EP1S10F484C7N
Intel
EP1K30FC256-2
Intel
EP2AGX45DF25I5
Intel
LFE2M70SE-6F900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-5E-7M132C
Lattice Semiconductor Corporation