casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BUK7Y20-30B,115
Número de pieza del fabricante | BUK7Y20-30B,115 |
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Número de parte futuro | FT-BUK7Y20-30B,115 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
BUK7Y20-30B,115 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 39.5A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 11.2nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 688pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 59W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | LFPAK56, Power-SO8 |
Paquete / Caja | SC-100, SOT-669 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK7Y20-30B,115 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BUK7Y20-30B,115-FT |
PSMN7R0-60YS,115
Nexperia USA Inc.
PSMN7R5-30YLDX
Nexperia USA Inc.
PSMN4R0-30YLDX
Nexperia USA Inc.
PSMN7R5-60YLX
Nexperia USA Inc.
BUK7Y14-80EX
Nexperia USA Inc.
PSMN4R0-40YS,115
Nexperia USA Inc.
BUK7Y12-40EX
Nexperia USA Inc.
BUK7Y12-55B,115
Nexperia USA Inc.
PSMN1R0-30YLC,115
Nexperia USA Inc.
PSMN1R2-30YLC,115
Nexperia USA Inc.
LCMXO2-7000HE-6TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX25-N3FGG484I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FG484
Microsemi Corporation
M7A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
XC4VFX40-10FF1152I
Xilinx Inc.
A40MX04-1PLG84M
Microsemi Corporation
A42MX16-2PL84I
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC4C6U19I7N
Intel