casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / PH3120L,115
Número de pieza del fabricante | PH3120L,115 |
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Número de parte futuro | FT-PH3120L,115 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchMOS™ |
PH3120L,115 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 100A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.65 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 48.5nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 4457pF @ 10V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 62.5W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | LFPAK56, Power-SO8 |
Paquete / Caja | SC-100, SOT-669 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PH3120L,115 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | PH3120L,115-FT |
PSMN2R6-30YLC,115
Nexperia USA Inc.
PSMN3R0-30YLDX
Nexperia USA Inc.
PSMN4R0-60YS,115
Nexperia USA Inc.
PSMN5R4-25YLDX
Nexperia USA Inc.
PSMN6R0-25YLB,115
Nexperia USA Inc.
PSMN6R0-30YLB,115
Nexperia USA Inc.
BUK6Y12-30PX
Nexperia USA Inc.
BUK6Y15-40PX
Nexperia USA Inc.
BUK6Y20-30PX
Nexperia USA Inc.
BUK6Y25-40PX
Nexperia USA Inc.
XCS20XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-3FG484I
Xilinx Inc.
A42MX36-1PQG240
Microsemi Corporation
A3P1000-2FGG484I
Microsemi Corporation
XC4020E-4HQ208I
Xilinx Inc.
XC7VX690T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX09-TQ176
Microsemi Corporation
M1A3P1000L-FGG144
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-CM36AITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230HF35C2
Intel