casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / PSMN3R0-30YLDX
Número de pieza del fabricante | PSMN3R0-30YLDX |
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Número de parte futuro | FT-PSMN3R0-30YLDX |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PSMN3R0-30YLDX Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 100A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.1 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 46.4nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2939pF @ 15V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 91W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | LFPAK56, Power-SO8 |
Paquete / Caja | SC-100, SOT-669 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PSMN3R0-30YLDX Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | PSMN3R0-30YLDX-FT |
PMZB300XN,315
Nexperia USA Inc.
PMZB370UNE,315
Nexperia USA Inc.
PMZB380XN,315
Nexperia USA Inc.
PMZB390UNEYL
Nexperia USA Inc.
PMZB420UN,315
Nexperia USA Inc.
PMZB600UNELYL
Nexperia USA Inc.
PMZB600UNEYL
Nexperia USA Inc.
PMZB790SN,315
Nexperia USA Inc.
PMZB950UPELYL
Nexperia USA Inc.
PMXB40UNEZ
Nexperia USA Inc.
A1020B-VQG80I
Microsemi Corporation
XC6VLX75T-L1FFG484I
Xilinx Inc.
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE75F23C8L
Intel
XC5VLX50-3FF676C
Xilinx Inc.
AGL060V2-CS121
Microsemi Corporation
EP20K400ERC240-1
Intel
EPF10K10QI208-4
Intel
EPF10K30AQC208-3N
Intel