casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / PMZB370UNE,315
Número de pieza del fabricante | PMZB370UNE,315 |
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Número de parte futuro | FT-PMZB370UNE,315 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PMZB370UNE,315 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 900mA (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 490 mOhm @ 500mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.05V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 1.16nC @ 15V |
Vgs (Max) | ±8V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 78pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 360mW (Ta), 2.7W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | DFN1006B-3 |
Paquete / Caja | 3-XFDFN |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMZB370UNE,315 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | PMZB370UNE,315-FT |
SI9410DY,518
NXP USA Inc.
PHU101NQ03LT,127
NXP USA Inc.
PHU108NQ03LT,127
NXP USA Inc.
PHU11NQ10T,127
NXP USA Inc.
PHU66NQ03LT,127
NXP USA Inc.
PHU77NQ03T,127
NXP USA Inc.
PHU78NQ03LT,127
NXP USA Inc.
PHU97NQ03LT,127
NXP USA Inc.
2N7002K,215
NXP USA Inc.
2N7002T,215
NXP USA Inc.
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8LFTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN060V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
10M25DAF256C7G
Intel
EP3SE260F1152I3
Intel
LCMXO640C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2
Intel
10AX048E2F29I1HG
Intel
EP20K60EQC208-1
Intel