casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / PSMN5R4-25YLDX
Número de pieza del fabricante | PSMN5R4-25YLDX |
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Número de parte futuro | FT-PSMN5R4-25YLDX |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PSMN5R4-25YLDX Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 25V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 70A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.69 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 12.4nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 858pF @ 12V |
Característica FET | Schottky Diode (Body) |
Disipación de potencia (max) | 47W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | LFPAK56, Power-SO8 |
Paquete / Caja | SC-100, SOT-669 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PSMN5R4-25YLDX Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | PSMN5R4-25YLDX-FT |
PMZB380XN,315
Nexperia USA Inc.
PMZB390UNEYL
Nexperia USA Inc.
PMZB420UN,315
Nexperia USA Inc.
PMZB600UNELYL
Nexperia USA Inc.
PMZB600UNEYL
Nexperia USA Inc.
PMZB790SN,315
Nexperia USA Inc.
PMZB950UPELYL
Nexperia USA Inc.
PMXB40UNEZ
Nexperia USA Inc.
PMXB43UNEZ
Nexperia USA Inc.
PMXB65UPEZ
Nexperia USA Inc.
XC3S200A-4FT256I
Xilinx Inc.
XC3S2000-4FG456C
Xilinx Inc.
A42MX09-VQ100I
Microsemi Corporation
AGL030V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP2C50F672I8
Intel
XC6SLX4-2CSG225I
Xilinx Inc.
AGL600V2-CSG281
Microsemi Corporation
LFXP6C-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C4
Intel