casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / PH2925U,115
Número de pieza del fabricante | PH2925U,115 |
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Número de parte futuro | FT-PH2925U,115 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchMOS™ |
PH2925U,115 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 25V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 100A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 mOhm @ 25A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 950mV @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 92nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 6150pF @ 10V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 62.5W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | LFPAK56, Power-SO8 |
Paquete / Caja | SC-100, SOT-669 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PH2925U,115 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | PH2925U,115-FT |
PSMN026-80YS,115
Nexperia USA Inc.
PSMN0R9-25YLDX
Nexperia USA Inc.
PSMN1R0-30YLDX
Nexperia USA Inc.
PSMN2R6-30YLC,115
Nexperia USA Inc.
PSMN3R0-30YLDX
Nexperia USA Inc.
PSMN4R0-60YS,115
Nexperia USA Inc.
PSMN5R4-25YLDX
Nexperia USA Inc.
PSMN6R0-25YLB,115
Nexperia USA Inc.
PSMN6R0-30YLB,115
Nexperia USA Inc.
BUK6Y12-30PX
Nexperia USA Inc.
A40MX02-VQG80M
Microsemi Corporation
EX128-PTQG64
Microsemi Corporation
5SGXEA7N1F40C2
Intel
EP4SGX530KF43C3
Intel
A40MX04-3PLG44
Microsemi Corporation
XC5VLX220T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
LFEC6E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50SBC356-2
Intel
EP20K60EFC324-1
Intel
EP2S60F1020C5
Intel