casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos, Pre-polar / PEMB11,115
Número de pieza del fabricante | PEMB11,115 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-PEMB11,115 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PEMB11,115 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Base del emisor (R2) | 10 kOhms |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 1µA |
Frecuencia - Transición | 180MHz |
Potencia - max | 300mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SOT-563, SOT-666 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-666 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PEMB11,115 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | PEMB11,115-FT |
SMUN5311DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5114DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5133DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5215DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5330DW1T1G
ON Semiconductor
NSVMUN5135DW1T1G
ON Semiconductor
NSVMUN5215DW1T1G
ON Semiconductor
NSVMUN5312DW1T2G
ON Semiconductor
SMUN5114DW1T1G
ON Semiconductor
SMUN5214DW1T1G
ON Semiconductor
LCMXO640E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1000L-4FGG320C
Xilinx Inc.
XC6SLX25-L1FGG484C
Xilinx Inc.
EP2C35F672C7
Intel
EPF10K200SFC484-2N
Intel
APA075-TQG100I
Microsemi Corporation
A54SX16A-2FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000HE-6FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HC-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10M02SCU324C8G
Intel