casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos, Pre-polar / NSVMUN5135DW1T1G
Número de pieza del fabricante | NSVMUN5135DW1T1G |
---|---|
Número de parte futuro | FT-NSVMUN5135DW1T1G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
NSVMUN5135DW1T1G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Resistor - Base del emisor (R2) | 47 kOhms |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 500nA |
Frecuencia - Transición | - |
Potencia - max | 250mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSVMUN5135DW1T1G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NSVMUN5135DW1T1G-FT |
NSBC114TDXV6T5
ON Semiconductor
NSBC114TPDXV6T1
ON Semiconductor
NSBC114YDXV6T1
ON Semiconductor
NSBC114YPDXV6T1
ON Semiconductor
NSBC123EDXV6T1
ON Semiconductor
NSBC123EPDXV6T1
ON Semiconductor
NSBC123EPDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC123JDXV6T1
ON Semiconductor
NSBC123JDXV6T5
ON Semiconductor
NSBC123JPDXV6T1
ON Semiconductor
A40MX02-2VQ80
Microsemi Corporation
XC6SLX16-L1FTG256I
Xilinx Inc.
EPF10K100AFC484-1
Intel
5SGXMA7K2F40I3LN
Intel
5SGXEB6R3F40C3
Intel
5SGSMD4E1H29I2N
Intel
5SGXMA3E2H29C3N
Intel
10M50DCF672I7G
Intel
EP4SE530H35C3
Intel
LFE2M35E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation