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ON Semiconductor NVMFS4C302NWFT1G

Número de pieza de MFG
NVMFS4C302NWFT1G
Cantidad disponible
65040 Piezas
Precio de referencia
USD 0.631352
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fabricante
ON Semiconductor
Breve descripción
Automotive, AEC-Q101 NFET SO8FL 30V 1.15MO
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de pieza del fabricante NVMFS4C302NWFT1G
Número de parte futuro FT-NVMFS4C302NWFT1G
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie Automotive, AEC-Q101
NVMFS4C302NWFT1G Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 43A (Ta), 241A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.15 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 82nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 5780pF @ 15V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 3.75W (Ta), 115W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paquete / Caja 8-PowerTDFN, 5 Leads
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NVMFS4C302NWFT1G Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto NVMFS4C302NWFT1G-FT

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