casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / NVMFS4C302NWFT1G
Número de pieza del fabricante | NVMFS4C302NWFT1G |
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Número de parte futuro | FT-NVMFS4C302NWFT1G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
NVMFS4C302NWFT1G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 43A (Ta), 241A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.15 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 82nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 5780pF @ 15V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 3.75W (Ta), 115W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
Paquete / Caja | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NVMFS4C302NWFT1G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NVMFS4C302NWFT1G-FT |
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