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ON Semiconductor NTMFS4H02NFT1G

Name: NTMFS4H02NFT1G
Brand: ON Semiconductor
SKU: NTMFS4H02NFT1G
Price: 1.7864 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (689 reviews)

Número de pieza de MFG: NTMFS4H02NFT1G

Cantidad disponible: 80630 Piezas

Precio de referencia: USD 1.7864

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fabricante: ON Semiconductor

Breve descripción: - MOSFET N-CH 25V 37A SO8FL

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: NTMFS4H02NFT1G.pdf

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Número de pieza del fabricante	NTMFS4H02NFT1G
Número de parte futuro	FT-NTMFS4H02NFT1G
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
NTMFS4H02NFT1G Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	25V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	37A (Ta), 193A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.4 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.1V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	40.9nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	2652pF @ 12V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	3.13W (Ta), 83W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paquete / Caja	8-PowerTDFN
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NTMFS4H02NFT1G Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	NTMFS4H02NFT1G-FT

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