casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / NTMFS4C025NT1G

| Número de pieza del fabricante | NTMFS4C025NT1G |
|---|---|
| Número de parte futuro | FT-NTMFS4C025NT1G |
| SPQ / MOQ | Contáctenos |
| Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| NTMFS4C025NT1G Estado (ciclo de vida) | En stock |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 20A (Ta), 69A (Tc) |
| Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.41 mOhm @ 30A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
| Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1683pF @ 15V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (max) | 2.55W (Ta), 30.5W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete del dispositivo del proveedor | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| Paquete / Caja | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
| País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| NTMFS4C025NT1G Peso | Contáctenos |
| Número de pieza de repuesto | NTMFS4C025NT1G-FT |

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