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ON Semiconductor NTTFS3A08PZTWG

Name: NTTFS3A08PZTWG
Brand: ON Semiconductor
SKU: NTTFS3A08PZTWG
Price: 0.40964 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (763 reviews)

Número de pieza de MFG: NTTFS3A08PZTWG

Cantidad disponible: 37840 Piezas

Precio de referencia: USD 0.40964

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: ON Semiconductor

Breve descripción: - MOSFET P-CH 20V 14A U8FL

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: NTTFS3A08PZTWG.pdf

NTTFS3A08PZTWG Presupuesto

Número de pieza del fabricante	NTTFS3A08PZTWG
Número de parte futuro	FT-NTTFS3A08PZTWG
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
NTTFS3A08PZTWG Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Not For New Designs
Tipo FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	9A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.7 mOhm @ 12A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	56nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	5000pF @ 10V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	840mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	8-WDFN (3.3x3.3)
Paquete / Caja	8-PowerWDFN
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NTTFS3A08PZTWG Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	NTTFS3A08PZTWG-FT

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