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ON Semiconductor NVGS3130NT1G

Número de pieza de MFG
NVGS3130NT1G
Cantidad disponible
91060 Piezas
Precio de referencia
USD 0.4174
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fabricante
ON Semiconductor
Breve descripción
- MOSFET N-CH 20V 4.2A 6TSOP
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
NVGS3130NT1G Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 4.2A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24 mOhm @ 5.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 20.3nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 935pF @ 16V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 600mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor 6-TSOP
Paquete / Caja SOT-23-6
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NVGS3130NT1G Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto NVGS3130NT1G-FT

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