casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / NTGD3147FT1G
Número de pieza del fabricante | NTGD3147FT1G |
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Número de parte futuro | FT-NTGD3147FT1G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NTGD3147FT1G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 2.2A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 145 mOhm @ 2.2A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 5.5nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±12V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 400pF @ 10V |
Característica FET | Schottky Diode (Isolated) |
Disipación de potencia (max) | 1W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -25°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 6-TSOP |
Paquete / Caja | SOT-23-6 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTGD3147FT1G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NTGD3147FT1G-FT |
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