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ON Semiconductor NTGD3147FT1G

Número de pieza de MFG
NTGD3147FT1G
Cantidad disponible
79710 Piezas
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fabricante
ON Semiconductor
Breve descripción
- MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-TSOP
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
NTGD3147FT1G Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Obsolete
Tipo FET P-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 2.2A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 145 mOhm @ 2.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 5.5nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 400pF @ 10V
Característica FET Schottky Diode (Isolated)
Disipación de potencia (max) 1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento -25°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor 6-TSOP
Paquete / Caja SOT-23-6
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NTGD3147FT1G Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto NTGD3147FT1G-FT

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