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ON Semiconductor NTLJS1102PTBG
- Número de pieza de MFG
- NTLJS1102PTBG
- Cantidad disponible
- 35700 Piezas
- Precio de referencia
- USD 0
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- fabricante
- ON Semiconductor
- Breve descripción
- - MOSFET P-CH 8V 3.7A 6-WDFN
- Estado sin plomo / estado RoHS
- Cumple con RoHS (sin plomo)
- Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código de fecha (D / C)
- Nuevo
- categoria de producto
- Transistores - FETs, MOSFETs - Single
- Recurso de stock
- Distribuidor Franquiciado
- Garantía
- Garantía de calidad de 360 días.
- ficha de datos
- NTLJS1102PTBG.pdf
NTLJS1102PTBG Presupuesto
| Número de pieza del fabricante | NTLJS1102PTBG |
|---|---|
| Número de parte futuro | FT-NTLJS1102PTBG |
| SPQ / MOQ | Contáctenos |
| Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| NTLJS1102PTBG Estado (ciclo de vida) | En stock |
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 8V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 3.7A (Ta) |
| Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 1.2V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 36 mOhm @ 6.2A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 720mV @ 250µA |
| Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±6V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1585pF @ 4V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (max) | 700mW (Ta) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete del dispositivo del proveedor | 6-WDFN (2x2) |
| Paquete / Caja | 6-WDFN Exposed Pad |
| País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| NTLJS1102PTBG Peso | Contáctenos |
| Número de pieza de repuesto | NTLJS1102PTBG-FT |
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