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ON Semiconductor NTLJS1102PTBG

Name: NTLJS1102PTBG
Brand: ON Semiconductor
SKU: NTLJS1102PTBG
Availability: InStock
Rating: 4.9 (808 reviews)

Número de pieza de MFG: NTLJS1102PTBG

Cantidad disponible: 35700 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: ON Semiconductor

Breve descripción: - MOSFET P-CH 8V 3.7A 6-WDFN

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: NTLJS1102PTBG.pdf

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Número de pieza del fabricante	NTLJS1102PTBG
Número de parte futuro	FT-NTLJS1102PTBG
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
NTLJS1102PTBG Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	8V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	3.7A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	36 mOhm @ 6.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	720mV @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	25nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±6V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	1585pF @ 4V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	700mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	6-WDFN (2x2)
Paquete / Caja	6-WDFN Exposed Pad
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NTLJS1102PTBG Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	NTLJS1102PTBG-FT

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