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Toshiba Semiconductor and Storage TPCF8107,LF

Número de pieza de MFG
TPCF8107,LF
Cantidad disponible
61790 Piezas
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fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descripción
U-MOSVI MOSFET P-CH 30V 6A VS-8
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de pieza del fabricante TPCF8107,LF
Número de parte futuro FT-TPCF8107,LF
SPQ / MOQ Contáctenos
Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie U-MOSVI
TPCF8107,LF Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Discontinued at Future Semiconductor
Tipo FET P-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 6A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 100µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 10V
Vgs (Max) +20V, -25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 970pF @ 10V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 700mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor VS-8 (2.9x1.5)
Paquete / Caja 8-SMD, Flat Lead
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TPCF8107,LF Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto TPCF8107,LF-FT

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