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ON Semiconductor NTLJS3A18PZTWG

Name: NTLJS3A18PZTWG
Brand: ON Semiconductor
SKU: NTLJS3A18PZTWG
Availability: InStock
Rating: 4.7 (357 reviews)

Número de pieza de MFG: NTLJS3A18PZTWG

Cantidad disponible: 29400 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: ON Semiconductor

Breve descripción: - MOSFET P-CH 20V 8.4A WDFN6

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: NTLJS3A18PZTWG.pdf

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Número de pieza del fabricante	NTLJS3A18PZTWG
Número de parte futuro	FT-NTLJS3A18PZTWG
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
NTLJS3A18PZTWG Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	5A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	18 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	28nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	2240pF @ 15V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	700mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	6-WDFN (2x2)
Paquete / Caja	6-WDFN Exposed Pad
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NTLJS3A18PZTWG Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	NTLJS3A18PZTWG-FT

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