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ON Semiconductor NTLJS1102PTAG

Número de pieza de MFG
NTLJS1102PTAG
Cantidad disponible
89750 Piezas
Precio de referencia
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Fecha de envío
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fabricante
ON Semiconductor
Breve descripción
- MOSFET P-CH 8V 3.7A 6-WDFN
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
NTLJS1102PTAG Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Obsolete
Tipo FET P-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 8V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 3.7A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 36 mOhm @ 6.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 720mV @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±6V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1585pF @ 4V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 700mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor 6-WDFN (2x2)
Paquete / Caja 6-WDFN Exposed Pad
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NTLJS1102PTAG Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto NTLJS1102PTAG-FT

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