casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos, Pre-polar / NSTB1002DXV5T1
Número de pieza del fabricante | NSTB1002DXV5T1 |
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Número de parte futuro | FT-NSTB1002DXV5T1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NSTB1002DXV5T1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de transistor | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 100mA, 200mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V, 40V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Resistor - Base del emisor (R2) | 47 kOhms |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V / 100 @ 1mA, 10V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA / 400mV @ 5mA, 50mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 500nA |
Frecuencia - Transición | 250MHz |
Potencia - max | 500mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SOT-553 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-553 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSTB1002DXV5T1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NSTB1002DXV5T1-FT |
NSBA115EDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC123EDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBA114EDXV6T1G
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