casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos, Pre-polar / NSBC123EDXV6T1G
Número de pieza del fabricante | NSBC123EDXV6T1G |
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Número de parte futuro | FT-NSBC123EDXV6T1G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NSBC123EDXV6T1G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Resistor - Base del emisor (R2) | 2.2 kOhms |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 8 @ 5mA, 10V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 10mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 500nA |
Frecuencia - Transición | - |
Potencia - max | 500mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SOT-563, SOT-666 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-563 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSBC123EDXV6T1G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NSBC123EDXV6T1G-FT |
XN0111900L
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XN0111H00L
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XC2V250-5FGG256I
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XC6SLX150T-3FGG900C
Xilinx Inc.
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Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-VQG100I
Microsemi Corporation
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5SGSED8K3F40C4N
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5CGXFC5F6M11I7N
Intel
5SGXMA3K2F35I3LN
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10AX016E4F29E3SG
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EP1K30QC208-1N
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